集微网消息（文/小如）据青岛信网报道，截止2019年5月，青岛芯恩项目管理和技术团队已签约报到管理及技术人员330人，其中博士20余人，硕士60余人。项目工程8英寸厂筏板基础施工完成90%；12英寸厂筏板基础施工完成93%；测试楼1首层结构完成90%；测试楼2四层结构完成90%；行政中心三层结构完成60%。已订购87台二手生产设备，其中60台已完成翻修。
今年3月，张汝京曾表示，芯恩项目进展顺利。
芯恩（青岛）集成电路项目位于青岛国际经济合作区，是全国首个CIDM集成电路项目，于2018年3月在青岛西海岸新区签约。芯恩集成电路公司也是张汝京的第五次创业，被称为“中国半导体之父”的他选择在青岛发展出适合中国半导体产业发展的CIDM模式，即创建共享共有式整合元件制造公司，整合芯片设计、芯片工艺技术研发、芯片制造、芯片封装测试，整合式地为终端客户提供高品质、高效率的产品。
据悉，该项目一、二期总投资约188亿元，其中一期总投资约81亿元，占地约373亩，总建筑面积约35万平方米，主要从事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产，满产后可实现年均产值约46.1亿元，净利润约9.7亿元。
目前，芯恩（青岛）集成电路项目已确定了特色功率芯片和高端微控制器技术路线。已规划12英寸厂从40纳米逻辑产品入手逐渐推进到28纳米的产品线，通过对前段工艺浸润式光刻工艺，自对准金属硅化物，嵌入式SiGe源漏区工艺开发;后段工艺超低介电材料层间介质层工艺整合，以及28纳米的高介电层金属闸级，完成器件性能的确认。
信网报道还指出，该项目将开发12英寸40nm-28nm集成电路芯片产品工艺技术，除了意法半导体技术授权40nm的标准逻辑工艺以外，同时开发闪存Embedded Flash的尖端工艺，用以生产微处理器MCU芯片。还将开发8英寸180nm-110nm集成电路芯片产品工艺技术，包括数字模拟混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半导体功率器件，其中IGBT的逆导型IGBT的高端及超薄(小于50微米的硅片厚度)的工艺技术是中国首创。RC-IGBT是将IGBT单元和FWD单元交替配置而成。
张汝京还在今年3月份透露，芯恩的现有的人才当中有一些在14nm制程量产方面，已经具备了丰富的经验，他们正在为芯恩的先进制程量产做着准备。而该公司的二期工程，目标就是针对14nm及以下先进制程的，要建两座月产能为5万片的Fab。
信网此次报道指出，芯恩(青岛)集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条，国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条，国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条，芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位MCU集成电路设计团队。
（校对/小北）
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