最近，中国科学院学部主席团执行主席、中科院院士白春礼在主旨演讲中表示，要组织实施好重大科技任务，充分发挥社会主义市场经济条件下新型举国体制优势，针对当前的“卡脖子”问题，通过采取“揭榜挂帅”等方式，加快突破关键核心技术制约。
在集成电路领域要着眼长远系统、谋划重大项目布局，为解决事关长远发展的“心腹之患”问题提供战略性技术储备。
在举国体制下，中国集成电路装备、材料都取得了长足进步。迫使国内外公司纷纷表态，不能离开中国市场。
ASML表态：DUV光刻机供应中国，不受禁令影响
第三届进博会，ASML展示了其DUV光刻机。ASML明确表示，DUV可以供应美国，不受贸易制裁禁令影响。
ASML相当于变相地告诉世界他要进军中国市场，毕竟荷兰阿斯麦心中也清楚，如果他不选择中国市场，很可能会将自己的产业直接延缓几十年。
ASML展示的DUV光刻机也能生产7纳米及以上制程芯片，而且价格要比EUV光刻机低很多。相较于DUV光刻机，EUV光刻机只要一次曝光，就能实现7纳米工艺芯片的制造，而用DUV需要多重曝光。
虽然受禁令影响，但ASML明白中国市场丢不起，要知道如今在3nm工艺的光刻机上，只有台积电一位客户，这样一来ASML就不能随心所欲地开出价格，只能任由台积电的压价，毕竟除了台积电以外，也没有其他客户有需求，在芯片半导体市场上，无论现在还是未来，ASML只会变得越来越被动。
另外，DUV（深紫外线）光刻机更是能从尼康、佳能那里找到替代，在全球晶圆制造大扩产之际，日本出让点儿DUV技术给中国，也是十分好理解的。
中芯国际官宣：N+1工艺（等效7nm）量产，使用DUV
在国家大力扶持下，我们的国产半导体产业也字节进入到了飞速发展期，国内晶圆代工龙头中芯国际，目前已完成了FinFET N＋1先进工艺的流片和测试工作。
所谓的N+1工艺，是中芯国际的工艺代号，是14nm工艺之后的新一代IC制程工艺。业界普遍认为，从性能提升、功耗降低和面积缩小等角度，N+1工艺是可以与台积电7nm工艺比肩的新工艺。
这也意味着中芯国际已经初步具备生产7nm芯片的能力。这确实是一个鼓舞人心的爆炸性消息。
DUV技术，制造7nm，中国没问题
就在中芯国际官宣具备7nm工艺能力后，国产光刻机也传来了好消息，中科院以及上海微电子目前正在全力攻克国产光刻机的技术难题，国产首台28nm光刻机研制成功。预计在明年可以顺利完成国产28nm光刻机的量产。
更重要的是这台国产28nm光刻机在经过多重曝光下，最高可实现7nm芯片量产，虽然还无法媲美目前最顶尖的EUV光刻机设备，但这套国产光刻机设备诞生，绝对可以完成绝大部分芯片生产。
28nm DUV光刻机，一次曝光即可制造28nm芯片。两次曝光可制造14nm芯片、三次曝光曝光更是可以制造生产10/7nm芯片。
当然，对应良率、成本会有所提高。
但在国家大力投入及支持下保证供应链国产的硬实力面前，成本也会逐步降低。
除了光刻机传来好消息以外，国产光刻胶也传来了好消息，根据新浪官方报道，在11月13日，能宁波南大光电材料有限公司已经正式取得了技术突破，该公司（国内）首条ArF高端光刻胶产线已经正式投入生产，根据业内人士爆料，南大光电所生产的ArF光刻胶，可用于国产7nm芯片的量产。
这意味着我们国产芯片产业链的两大技术短板，目前都已经取得了重大突破。
在国家不计代价的投入下，完全可以使用国产光刻机、国产ArF光刻胶，来实现7nm芯片生产。
2021年，国产28nm光刻机下线量产，必然会用到制造7nm的研发之中。
而相关配套装备材料，如刻蚀机、清洗剂、光刻胶等，更是接连突破，小编相信，2022年我们就能见到真正国产7nm的芯片。
遐想一下，2023年，国产7nm点亮手机的那一刻，真的不遥远。让我们拭目以待。
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