三星全球首秀3nm！

近年来，三星和台积电两大代工厂之间一直在先进制程方面狠下功夫互相竞争。

根据之前DigiTimes援引的一份报告显示，台积电（TSMC）有望在今年下半年开始风险生产3nm制造工艺，届时该晶圆厂将有能力处理3万片使用更先进技术打造的晶圆。

而三星这边，虽然一直处于稍落后与台积电的地步，但也一直在不断追赶。之前有消息称三星电子正在考虑投资高达170亿美元在亚利桑那州、德萨斯州或纽约州建立一家芯片制造工厂。

并且三星为在更短的时间内追赶上台积电，直接跳过了4nm工艺节点，从5nm跃升至3nm。

近日，根据TomsHardware的消息，在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

三星MBCFET技术（视频）

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80％，性能提升最多30％，或者功耗降低最多50％。

或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。

三星的3GAE（其第一代MBCFET技术）将于2022年推出。虽然三星目前尚未披露其所有特性，但三星在ISSCC上讨论了如何使用新型晶体管来提高SRAM性能和可扩展性，但尚未公布任何客户。

近年来，SRAM的可扩展性一直落后于逻辑的可扩展性。同时，现代片上系统将SRAM的负载用于各种高速缓存，因此提高其可伸缩性是一项至关重要的任务。

来源：快科技

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