独走管式PECVD、RPD工艺路线，捷佳伟创要偏离人群了吗？

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今天我们聊聊捷佳伟创。

首先是公司的基本情况，捷佳伟创TOPCon和HJT路线都做，双线布局。不过，在HJT的TCO透明导电膜沉积环节，钧石和迈为用的都是PVD，但公司用的是RPD。捷佳伟创认为，对提高转换效率来说，RPD是必经之路。如果将来钙钛矿需要用透明导电膜，RPD会是一个必然选择，因为PVD是很难承担该种工艺要求，且超高效25%以上的电池也只能依靠RPD。

另外就是在非晶硅沉积环节，如果用PECVD方案，之前大家用的都是板式PECVD，但捷佳伟创成功折腾出了管式PECVD，震惊了大家，这也是前段时间捷佳伟创股价大幅上涨的原因。目前在非晶硅沉积环节，捷佳伟创已经可以提供三种技术路线设备，包括：

1、板式PECVD+RPD/PVD

2、管式PECVD+RPD/PVD

3、Cat-CVD+PVD/RPD

具体来说，就是8月18日下午，捷佳伟创首批管式异质结PECVD工艺电池顺利下线，是全球HJT电池片采用管式PECVD的首创。根据公司的说法，管式PECVD具有投资成本低、占地面积小、开机率高、维护保养成本低等特点，尤其适用于大批量HJT生产线，必将成为异质结电池降本增效道路上的里程碑事件。

PECVD，是指Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition——等离子体增强化学气相沉积法，是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生化学反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积PECVD。PECVD有两种，一是直接式，即基片位于一个电极上，直接接触等离子体。二是间接式，即基片不接触激发电极。在晶硅电池制造领域，直接式PECVD设备一般指的是管式PECVD，而间接式PECVD设备一般指的是板式PECVD。

不管是直接式还是间接式PECVD，普遍都用来生成用于减反射和对硅片起到钝化作用的氮化硅薄膜，而PECVD设备的性能指标主要包括：生长薄膜的均匀性、致密性以及设备产能。一般情况下，板式PECVD的产能及薄膜均匀性优于管式PECVD，但是管式PECVD的薄膜致密性及钝化效果优于板式PECVD。

在PERC电池时代，也曾出现过板式与管式PECVD之争。据悉，PERC技术大规模产业化主要得益于梅耶博格推出了量产机型的板式PECVD，但此后捷佳伟创推出了管式PECVD，并对管径进行持续做大更新，从而持续降低PERC单GW投资成本，最终将板式PECVD淘汰。所以，管式设备其实是捷佳伟创的强项了。

但是，在今年4月份的券商等机构的调研中，迈为股份是不认可板P的，说是两年多前已经做过试验，以其对HJT的理解来看，管式PECVD是没有什么希望的。不过在8月的时候，迈为股份在调研中也说，PERC时代需要用到镀膜设备，以管式为主；HJT时代以板式为主，公司有路径依赖的话会沿着路径发展，技术路线切换有沉没成本，各家沿着自己擅长的方向进行。

根据捷佳伟创的说法，板式的组合方式不灵活，从头到尾是串行的，所以只能提供92%的开机率，如果自动化设备出问题会影响开机率，而管式的能耗、功率控制都有优势。但管P的应用也存在一些难题：管式设备在应用到HJT制备时需要解决镀膜问题，它对硅片有损伤，需要用高频和中频的电源，所以有损失。技术上需要用射频来镀膜，射频导入平板比较容易，但是导入管式就比较难。2021年1月之前没有1MW以上的射频导入镀膜的设备研发。捷佳伟创是因为以前有管式的技术准备，结合管式和板式HJT的经验，射频导入取得了很好的技术突破。当然管式还有很多的问题，比如说载具的持续量产使用，粉尘的处理等。

总体而言，管P可以让HJT单GW的成本压缩到3-3.5亿左右，有望在效率、成本、稼动率上取得领先，是今年HJT产业非常重要的设备进展。

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