集微网消息，近日，东尼电子在接受机构调研时表示，碳化硅长晶炉由公司设计，合作设备厂商定制。目前，公司已有50余台长晶炉已完成安装调试，另有约100台长晶炉正在陆续安装调试。上述长晶炉及配套切磨抛设备全部安装完成，将形成约6万片/年的产能。
有关化硅项目，东尼电子表示，公司年产12万片碳化硅半导体材料项目实施地点为湖州市吴兴区织里镇利济东路588号，建设期36个月，总投资4.69亿元，购买约250台长晶炉及配套切磨抛设备。项目完全达产当年可实现年营业收入77,760万元，净利润9,589.63万元。
据悉，公司碳化硅项目从2017开始储备研发，技术主要来源于美国、日本，研发团队来自台湾，最初主要由两位台湾的博士牵头，曾任职于台湾中央研究院物理研究所，长期致力于材料科学与晶体技术研究，擅长晶体材料生长与精密切磨抛加工，具有二十余年的产品研发和量产导入经验。曾赴日本学习碳化硅衬底制造技术，在晶体材料领域具有深厚功底。目前已组建约40人的研发团队，团队人员具备丰富的晶体生长实践经验。
目前，东尼电子碳化硅半导体材料项目尚处于研发打样阶段，目前公司已拿到部分下游优质外延片生产厂商的来料、成品等检测结果，反馈良好，公司将进行持续送样，验证产品的一致性和稳定性，并及时沟通产品验证情况，推进后续的量产。
据东尼电子透露，目前公司用于研发的长晶炉所生长的晶体一致性较好，公司将根据实验机台调试积累的经验，持续工艺改进，提高产品的可复制性，并按照各机台的实际情况进行安装调试，周期1-2个月左右。
此外，公司碳化硅生长所需的籽晶以自制为主，自制数量不够时会少量外购。（校对/Arden）
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