本文由半导体产业纵横编译自semiconductor digest
去年 11 月,AMD 举行了AMD 加速数据中心首映式,英特尔举办了他们的创新日。近日,AMD又展示了新的节点。两者作为处理器的巨头,在芯片封装上又各有什么实力?
AMD
在首映式上,AMD 首席执行官 Lisa Su 介绍了新的 Milan-X,这是第三代 AMD EPYC (霄龙)处理器,带有 3D V-cache。
它有8个 Zen 3 CCD,每个 CCD 上混合粘合了 6 x 6 mm 64MB SRAM,因此与今年早些时候在 Computex 之后报道的 SRAM 芯片基本相同。
这增加了 512 MB L3 缓存,总共 768 MB,加上 L2 缓存,一共有 804 MB。
AMD 显然对台积电的 SOIC 混合键合技术感到满意,因为他们正在推出这款备受瞩目的新产品,每台设备有 8 个这样的芯片。
在随后的主题演讲中,AMD 数据中心和嵌入式解决方案事业部高级副总裁/总经理 Forrest Norrod 讨论了新的 AMD Instinct MI200 系列加速器。它们包含两个 CDNA2 GPU 芯片,总共 580 亿个晶体管,采用 6 纳米技术,具有多达 8 个 HBM2E 内存堆栈,使其成为世界上第一款配备 128 GB HBM2E 的 GPU。这引起了对 3D 封装的注意,因为他们使用了“Elevated Fanout Bridge”。
这本质上是一个连接器芯片,如英特尔的 EMIB 和台积电的 InFO-LSI,但位于基板 PCB 的顶部,而不是嵌入其中。
AMD 拥有此类结构的专利(US 10,867,978)。
业界认为 AMD 将使用 OSAT 而不是 TSMC 来实现这项技术。碰巧的是,SPIL(Siliconware Precision Industries Co.,Ltd)拥有他们在 ECTC 2020 [1] 上宣布的类似技术,标记为“扇出嵌入式桥接器”。
它使用桥优先顺序将程序集放在一起:
在几周前的 SC21 大会上,AMD 展示了一个 HPE Cray EX235a 节点,它使用了 AMD Instinct MI250X,Serve The Home眼尖的Patrick Kennedy发现了它并发布了详细信息,所以Instincts至少被 OEM 抽了样。
没有EFB 的迹象,但大概我们的视线被底部填充物遮住了。
英特尔
在英特尔活动中实际上并没有太多提及封装,尽管他们确实讨论过
Sapphire Rapids。“Sapphire Rapids”(SPR)下一代至强处理器由四个与 EMIB 裸片相连的“瓦片” 组成,并可选择添加 HBM。
正如我们所见,SPR 裸片约为 400平方毫米,有 10 个 EMIB裸片连接它们,另外四个用于四个 HBM 堆栈时使用。
我们可以看到,每个裸片有 5 个用于计算 tile 互连的EMIB 点,另外还有 1 个用于 HBM 堆栈。
一段时间以来,英特尔一直在推广他们的 Ponte Vecchio (PVC) 高端 GPU,它大量使用了 Foveros 芯片堆叠和 EMIB 互连。
计算tile 是 TSMC N5,Xe Link tile 是 TSMC N7,base tile 是Intel 7 制造的。Ravi Mahajan 在 HotChips 33 大会上给出了一些封装细节,包括base tile的 die 尺寸。
此外,还有一块由四个组装好的 PVC 部件组成的板:
AMD Instinct 和Ponte Vecchio 都是耗电的野兽,它们使用开放计算项目的 OCP 加速器模块 (OAM),旨在处理高达 700W 的功率 。
现在我们已经对即将推出的 Meteor Lake CPU 的外观有所了解;看到了组装测试部件,以评估使用减小的36 微米凸块间距的 Foveros 堆叠。
上面写到了四个芯片,所以它大概一个是填充物的形态,因为 Meteor Lake 由离散计算、GPU 和低功耗 SoC 块组成。Pat Gelsinger 在第三季度电话会议上表示,虽然一个或多个tile来自代工厂,但计算tile是在intel4 工艺(以前的 7 纳米)中制造的,并且正在运行。
“在intel 4 上,Intel已经为 Meteor Lake 录制了我们的计算块,本季度它从晶圆厂出来,并在 30 分钟内以出色的性能启动,这正是预期的。总而言之,这是我们在最近的记忆中看到的最好的领先产品初创企业之一,这说明了这个过程的健康状况。”
我们现在处于小芯片时代!
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