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在半导体微器件的制造中，必须通过蚀刻各种材料，从表面移除整个层或将抗蚀剂图案转移到下面的层中。在蚀刻工艺中可以分为两种工艺：湿法和干法蚀刻，同时进一步分为各向同性和各向异性工艺（见下图）。
在各向同性蚀刻工艺中，蚀刻发生在横向和垂直方向，因此层不仅在厚度上被去除，而且在圆周上也被去除；而在各向异性工艺中，该层仅在垂直方向上被去除。根据需求，可能需要各向同性工艺以及各向异性工艺。
通常各向同性的蚀刻轮廓，湿法蚀刻很少用于结构化，但微机械器件是一个例外。此外硅晶体的原子结构，使用湿化学可以产生侧面角为90°或54.74°的轮廓。
最后蚀刻工艺的一个重要价值是选择性。选择性是应该被蚀刻的层(例如氧化膜)和另一层(例如抗蚀剂掩模)的磨损率，如果选择性是2:1，氧化物的蚀刻速度将是抗蚀剂的两倍。
同时湿化学工艺不仅适用于蚀刻，也适用于其他需求，比如：1.湿法蚀刻:从整个晶片上去除掺杂或未掺杂的氧化物层；2.晶圆清洗；3.去除光刻胶；4.背面处理:去除在其他过程中作为副产品沉积的层(例如热氧化)；5.聚合物去除:去除干蚀刻过程中产生的副产品等。
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