前言
充电头网拿到了一款很古老的电源，这款电源是Apple Cinema HD Display（23英寸DVI）显示器的原配电源，型号为Cinema HD Display 90W Power Adapter，具备24.5V 3.7A输出，支持正反插，简直就是后来广泛应用的磁吸接口的雏形。
与这款电源相对应的显示器图片来源于网络，可以看到显示器延伸出一条线缆，然后分拆为DVI接口以及相关接口，同时连接到电源上。下面对这款电源进行拆解，看看内部是如何设计的。
苹果90W适配器开箱
苹果这款90W适配器外壳依旧是简洁亮面设计，不过边缘过渡明显不是目前苹果快充的圆润风格，此外造型也不是方块。
机身正背面中心设计有经典的苹果logo。
机身一侧设有品字电源线插口以及定制电源输出接口。
插槽加深设计，可以更好的固定电源线插头避免松动脱落。
魔改接口特写，独立模块设计，具备正反插，堪称USB-C接口的雏形。
另一侧印有适配器参数信息。
充电器型号为A1097，支持100-240V~50/60HZ 1.5A输入，以及24.5V 3.7A输出，通过了PSE、CE、UL认证。
测得充电器机身长度为111.92mm。
宽度为84.1mm。
厚度为30.43mm。
和苹果96W充电器对比，机身长了一截。
拿在手上的大小直观感受。
净重约为333g。
苹果90W适配器拆解
在对苹果这款90W适配器有了基本了解后，下面继续对其进行拆解，看看充电器用料做工如何。
沿接缝拆开适配器外壳，PCB正反面均包裹铜箔散热，铜箔内部有绝缘板与电路板隔离。
铜箔采用黄色胶带固定，电源输出插座采用螺丝固定在另外一半壳体内。
输出插座特写。
从外壳中取出输出插座，取出电源内部PCBA模块，开始拆解。
连接到铜箔的接地导线。
使用游标卡尺测量电路板长度为74.5mm。
使用游标卡尺测量电路板宽为103.5mm。
厚度为21.7mm。
拆掉散热铜箔的电路板正面一览，左侧是PFC升压电感和升压开关管，右侧是滤波电容，下方是LLC变压器，左侧下方是输出整流管。
电路板背面一览，有一颗辅助控制的339四路电压比较器，ST L6561 升压PFC控制器，PFC升压整流管以及L6571半桥驱动器和半桥开关管，开关管和芯片方案均来自ST意法半导体。
输入端保险管特写，耐压250V 2A。
输入X电容特写。
输入端压敏电阻特写。
共模电感特写，绿色磁环，黄色和红色漆包线绕制，外面缠绕绝缘胶带。
整流桥来自强茂，GBL406，额定电流4A，耐压600V。
薄膜滤波电容，1μF 400V耐压，来自松下。
输出的一级滤波电感，使用红色漆包线绕制。
薄膜滤波电容，0.47μF 400V。
PFC升压控制器来自ST意法半导体，L6561D，是一颗过渡模式的功率因数校正芯片。芯片具备精确可调节的输出过电压保护，具备低启动电流和低运行功耗。
一颗电位器用于调节PFC输出电压，使用蓝色胶水密封固定。
PFC升压开关管来自ST意法半导体，STB20NM50，采用I²PAK封装，耐压550V，导阻小于0.25Ω。
PFC升压电感特写。
PFC升压整流管来自强茂，UF3J，耐压600V，额定电流3A，超快恢复二极管。
滤波电容来自贵弥功，PAG系列小型化高纹波，105℃耐热，寿命2000小时，450V耐压，150μF容量。
0.022μF 630V薄膜电容，与主滤波电解并联，过滤高频干扰。
两颗200V 33μF电解电容，用于分压，来自红宝石，WXA系列105℃耐热。
两颗薄膜谐振电容。
电源使用ST L6571用于高压半桥驱动，内置振荡器，频率可由外部电阻电容设置，支持外部逻辑信号驱动，也是现代LLC控制器的雏形。
开关电源初级芯片供电滤波电容，25V220μF。
为初级芯片稳压供电的三极管，来自ST。
4.7μF 50V 电解电容，用于供电滤波。
两颗开关管来自ST意法半导体 STD5NM50，NMOS，耐压500V，导阻0.7Ω，IPAK封装。
来自ST意法的LM339 四电压比较器，用于检测电压电流，输出控制信号送至L6571进行半桥驱动。
开关变压器特写。
肖特基整流管来自ST意法，型号STPS20H100C，耐压100V，20A，用于输出整流。
输出滤波电感，红色漆包线绕制。
输出使用三颗滤波电容并联，贵弥功KZE系列，35V 220μF。
两颗黄色的Y电容，来自松下。
另外一颗是可控硅，用于电路保护功能。
下面是输出端子小板特写。
小板上焊接三条线，分别为输出正负极和接地线。
接地线串联1KΩ电阻与输出负极连接。
五针接口特写，支持功率检测。
全部拆解完毕，来张全家福。
充电头网拆解总结
苹果Cinema HD Display 90W Power Adapter是一款显示器的外接电源，这款电源具备24.5V，3.7A输出，用于为配套的显示器供电。
通过拆解发现，电源输入输出线均经过磁环，抑制高频干扰。电源为PFC+LLC拓扑，内部使用半桥驱动器搭配电压比较器实现控制及保护功能，由单一功能芯片搭配其他芯片实现现代单芯片的功能。电源内部半导体器件均来自ST意法半导体。
由于年代久远，MOS管导阻较大，和肖特基二极管均采用散热片辅助散热，降低温升。内部电容均来自日系品牌。总的来说，电源的用料及做工都很扎实，在当时的条件限制下，利用高效率拓扑，设计出了相对高功率密度的电源。
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