耐磨加工氮化硅陶瓷结构件的优点|高硬度

加工氮化硅陶瓷结构件的特点
氮化硅陶瓷具有优异的性能
氮化硅陶瓷在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。

制造商：海合氮化硅，特性：半导体陶瓷，微观结构：单晶与玻璃相，形状：棒形

功能：密封用陶瓷，产品参数：50*10*10MM，价格：185元/件，产地：江苏南京市

氮化硅陶瓷的结构：
Si3N4分子中Si原子和周围4个N原子以共价键结合，形成[Si-N4]四面体结构单元，所有四面体共享顶角构成三维空间网，形成Si3N4，有两种相结构，α相和β。其共价键长较短，成键电子数目多，原子间排列的方向性强，相邻原子间相互作用大Si3N4存在两种由[Si-N4]四面体结构以不同的堆砌方式堆砌而成的三维网络晶形，一个是α-Si3N4，另一个是β-Si3N4正是由于[Si-N4]四面体结构单元的存在，Si3N4具有较高的硬度在β-Si3N4的一个晶胞内有6个Si原子，8个N原子其中3个Si原子和4个N原子在一个平面上，另外3个Si原子和4个N原子在高一层平面上第3层与第1层相对应，如此相应的在C轴方向按ABAB…重复排列，β-Si3N4的晶胞参数为a=0.7606nm，c=0.2909nmα-Si3N4中第3层、第4层的Si原子在平面位置上分别与第1层、第2层的Si原子错了一个位置，形成4层重复排列，即ABCDABCD…方式排列。

无机材料中的氮化硅材料有哪些性能
氮化硅及碳碳复合材料原材料在区段开展煅烧时其线形缩水率与溫度中间的关联的科学研究得出结论:于1400出現高效液相时,以氮化硅生产制造的原材料的抗压强度刚开始明显地降低用SiC生产制造的原材料于1500时其抗压强度刚开始下见表2)运用Super-vickers型仪器设备以载荷为1~5kg的拉力进行的科学研究得出结论:煅烧SiC的强度接近22~23GPa中间,而煅烧Si3N4的强度则接近14.2~15.7GPa间。
氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。

氮化硅在半导体中的应用
由于氮化硅Si3N4陶瓷的优异性能,它已在许多工业领域获得广泛应用如:在机械工业中用作涡轮叶片、机械密封环、高温轴承、高速切削工具、永久性模具等;冶金工业中用作坩埚、燃烧嘴、铝电解槽衬里等热工设备上的部件;化学工业中用作耐蚀、耐磨零件包括球阀、泵体、燃烧器、汽化器等;电子工业中用作薄膜电容器、高温绝缘体等;航空航天领域用作雷达天线罩、发动机等;原子能工业中用作原子反应堆中的支承件和隔离件、核裂变物质的载体等Si3N4陶瓷具有优异的综合性能和丰富的资源,是一种理想的高温结构材料,具有广阔的应用领域和市场,世界各国都在竞相研究和开发可以预言:随着陶瓷的基础研究和新技术开发的不断进步,特别是复杂件和大型件制备技术的日臻完善,Si3N4陶瓷材料作为性能优良的工程材料将得到更广泛的应用。