镓未来完成近亿元A+轮融资，顺为资本、高瓴创投等联合投资

集微网消息，5月26日，珠海镓未来科技有限公司（下称“镓未来”）披露其已于近日完成近亿元A+轮融资，由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资，深启投资担任独家财务顾问。至今，这家专注于高端第三代半导体氮化镓功率器件研发、生产、营销和系统应用的综合解决方案提供商，成立一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品研发及应用方案开发，此外还将用于供应链建设。

据悉，镓未来成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新。通过高起点/强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的先行人，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色/高效利用。

公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术和产业专家构成，以深港微电子学院创院院长以及深圳第三代半导体研究院院长于洪宇教授，和美国知名氮化镓公司资深研发VP以及氮化镓工业领域的IEEE会员吴博士领衔，前华为GaN和第三代半导体项目发起人蔡学江共同创始人加盟，构建了完整的技术/制造/市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟先进的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。

公司研发团队以GaN和半导体产业的博士为主，博士及以上占比65%，硕士以上占比85%，主要以南科大微电子学院/华为/Intel/士兰微等企业的各类型专家为主，为客户打造世界一流的的氮化镓功率器件供应商。

另外，资料显示，吴毅锋博士先后取得清华大学学士，UCSB机械学硕士、电子与计算机博士学位，同时是IEEE会士；为国际顶尖GaN专家，前Cree公司Scientist、Transphorm公司Sr.VP。攻克多个GaN功率器件设计、生产工艺难题，首批开发并量产出650V商用GaN功率器件，将可靠性提升至业内领先；在GaN微波射频、功率器件领域皆实现多项技术突破，其中GaN射频功率密度的世界记录至今仍无人突破。

镓未来融资历程：

2021.3月：获得境成资本、世联资产天使轮投资，已接收快充芯片订单超300万颗。

2021.5月：获得礼达基金Pre-A轮投资；吴毅锋博士正式加入镓未来，团队基本组建完毕，启用横琴办公室、研发实验室。

2021.6月：完成A轮融资，计划融资额3亿；中标国家电网“900V高耐压开关器件”项目。

（校对/James）