北京
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近日，半导体大厂美光官方宣布其采用全球先进1β（1-beta）制造工艺的DRAM内存芯片即将量产，目前已经将试产样片送测给手机、电脑等客户进行测试。此消息一出，众多媒体错误解读美光绕过了EUV光刻技术制造芯片。据多方了解，此次美光采用全球先进1β(1-beta)制造工艺确实暂时不需要EUV光刻技术参与即可制造芯片，其1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片（Die）容量高达16Gb（2GB），目前暂时不需要EUV光刻技术参与，但并不代表未来不需要。1β目前的工艺需要采用DUV（深紫外光刻）参与制造芯片，并非真正意义上的绕过了EUV（极紫外光刻）工艺。
当今各国也都在研发全新的光刻技术，尝试打破光刻技术垄断，但到目前为止还没有出现重大突破。有业内人士指出，1β（1-beta）DRAM，只是美光把DUV的能力发挥到DRAM工艺的极致，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路面积来进行竞争。成本上或许也会更具比较优势，但他们并不没有绕过EUV光刻机及相关技术。
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