消息称明年iPhone或采用三星NAND芯片；台积电3nm代工价突破2万美元…

【热点速读】
1、消息称2023年iPhone或将采用三星NAND闪存芯片；
2、台积电3nm代工价突破2万美元，iPhone 15售价涨幅恐偏大；
3、美光宣布LPDDR5X已量产出货；
4、聚辰半导体自研NOR Flash存储芯片通过AEC-Q100车规级验证；
5、英特尔代工业务负责人离职，分析师称明后年「格外艰难」；
6、三星电机菲律宾MLCC工厂稼动率跌至40%；
7、三星联手美企提升3纳米良率以赶超台积电；

1、消息称2023年iPhone或将采用三星NAND闪存芯片

据台湾媒体报道，据供应链消息人士，2023年开始，苹果将在iPhone中引入三星NAND闪存芯片。消息人士表示，这表明该芯片将用于iPhone 15系列，但也不排除将其引入iPhone 14系列生产的可能。此前，三星一直是iPhone DRAM芯片的主要供应商。

2、台积电3nm代工价突破2万美元，iPhone 15售价涨幅恐偏大

据台湾媒体报道，因三星电子5/4nm及3nmGAA制程良率低落，多数芯片厂商不得不紧系与台积电的合作关系。除苹果与进度延缓的英特尔外，高通、联发科与NVIDIA等已预订台积电2023年、2024年产能。

据了解，台积电3nm代工价现已突破2万美元，生产成本暴增下，芯片厂商势将成本压力转嫁到下游客户。半导体业内人士普遍预计，苹果2023年iPhone 15系列所搭载的A17芯片，采用台积电昂贵的N3E制程，每片芯片报价大增，iPhone 15系列势将调涨，涨幅恐偏大。

3、美光宣布LPDDR5X已量产出货

美光宣布，LPDDR5X內存在被高通骁龙8 Gen 2芯片纳入主架构设计后，目前已量产出货。美光在低功耗LPDDR5X移动内存上采用新一代制程技术，最高速率可达每秒8.5Gb。

除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点。

4、聚辰半导体自研NOR Flash存储芯片通过AEC-Q100车规级验证

近日，聚辰半导体自主研发的NOR Flash存储芯片产品通过第三方权威测试认证机构的AEC-Q100 Grade 1车规级验证，并陆续在车载领域应用。聚辰半导体将继续按计划进一步完善512Kb~1GB全系列符合AEC-Q100 Grade 1车规标准的NOR Flash产品布局。

5、英特尔代工业务负责人离职，分析师称明后年「格外艰难」

英特尔宣布，帮助公司重返晶圆代工业务的关键大将Randhir Thakur将离开公司。市场分析师认为，聚焦代工业务的转型计划能否成功，目前尚未有定论，明后两年对英特尔来说则是格外艰难。

英特尔于电子邮件声明中表示，Thakur已决定辞去职务，以追求公司外部的机会，他将在 2023年第一季度继续领导英特尔代工业务，以确保顺利过渡到新的领导者。

据了解，Thakur将待到英特尔完成对以色列晶圆代工厂高塔半导体的收购案为止。

英特尔CEO Pat Gelsinger上任后积极推动IDM 2.0 战略，其中最关键的一环便是重启英特尔代工业务，目标是2030 年前成为全球第二大晶圆代工业者。

6、三星电机菲律宾MLCC工厂稼动率跌至40%

受终端市场需求减少影响，有消息称三星电机位于菲律宾的MLCC工厂稼动率已跌至40%以下。除了三星电机，日本厂商包含村田制作所(Murata)、太阳诱电(Taiyo Yuden)等MLCC积压订单也持续减少。

7、三星联手美企提升3纳米良率以赶超台积电

据外媒报道，三星电子已与美国公司Silicon Frontline Technology扩大合作，提高半导体晶片在生产过程中的良率，希望超车劲敌台积电。据悉，三星电子先进制程良率低迷，自5纳米制程一直存在良率问题，随着4纳米和3纳米，情况变得更糟，据传三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，量产进度陷入瓶颈。

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