福建
分享至
集微网消息，当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。复旦大学微电子学院朱颢研究团队、美国国家标准与技术研究院及美国乔治梅森大学，合作提出一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果在第68届国际电子器件大会上发表。
复旦大学微电子学院消息显示，该工作利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应，通过栅极电压调控形成负量子电容。该工作中，通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化，实现最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性，及超过106的开关比，有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理，为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供新路径。
该项研究工作得到国家自然科学基金等项目资助。（校对/姜羽桐）
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
