锗锂漂移探测器/锂漂移锗探测器可探测高能γ射线 被替代风险高

锗锂漂移探测器（锂漂移锗探测器）可探测高能γ射线 被替代风险高

　　锗锂漂移探测器，也称为锂漂移锗探测器，是采用锂离子漂移金属锗方法制成的探测器，具有灵敏区大的特点，是锂漂移型半导体探测器产品之一。

　　锗锂漂移探测器的工作原理是，金属锂的电离能小，蒸镀在P型锗表面，施加电场后，锂被电离为锂离子，锂离子半径小，锗晶格间隙大，锂离子易漂移进入锗晶格间隙中，形成PIN结构，构成大耗尽层，即探测器灵敏区。

　　按照形状不同来划分，锗锂漂移探测器可以分为平面型探测器、同轴型探测器两大类，前者外观为圆片状，后者外观为圆柱状。其中，同轴型探测器可以实现更大的灵敏区，应用范围更为广泛，又包括单开端同轴探测器、双开端同轴探测器。

　　根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年中国锗锂漂移探测器（锂漂移锗探测器）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，锗锂漂移探测器灵敏区厚度可达20mm，光面截面大，峰康比高，具有能量分辨率高、探测效率高的优点，可以用于高能γ射线探测领域。锗锂漂移探测器需要工作在低温条件下，一般是液氮环境中，这是由于锂离子在室温条件下易扩散，会降低探测器性能。

　　γ射线，是原子核能级跃迁退激时释放的射线，具有高能、高穿透力特性，可以用于工业无损检测、放射治疗肿瘤等领域。在医学领域，γ射线可以穿透人体进入深部肿瘤区域，照射肿瘤细胞，破坏细胞的有机分子，从而杀灭肿瘤细胞，达到肿瘤治疗目的。由此来看，锗锂漂移探测器拥有良好发展空间。

　　但锗锂漂移探测器存在较高的被替代风险。高纯锗探测器，是利用高纯锗形成PN结制造而成的半导体探测器，灵敏区体积更大，当存在高强电场时，整块晶体都可成为灵敏区，能量分辨率高，可以探测高能γ射线。采用锗锂漂移探测器的工作场景均可使用高纯锗探测器来替代，因此锗锂漂移探测器市场空间正在逐步缩小。

　　新思界行业分析人士表示，与锂漂移型半导体探测器的另一主要产品硅锂漂移探测器相比，由于锗对比硅拥有更高的γ射线探测效率，因此锗锂漂移探测器在γ射线探测领域具有明显竞争优势，而硅锂漂移探测器主要用于X射线探测领域。但随着科技进步，新型半导体探测器陆续被开发问世，锗锂漂移探测器逐渐被新型产品所替代，未来市场发展空间较小。