北京
分享至
金融界2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司取得一项名为“一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法“，授权公告号CN107658343B，申请日期为2017年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种优化器件特性的半导体结构及其制造方法，其特征在于：在所述有源区内，沟槽的下方设有第一导电类型区，所述第一导电类型区包覆沟槽的槽底；本发明通过在有源区沟槽底部设置第一导电类型区，使得有源区耐压低于终端保护区，器件耐压时击穿点位于有源区，同时还降低了器件导通电阻，且该器件制造方法与现有半导体工艺兼容，制造成本低，适应范围广，安全可靠。
本文源自金融界
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
