英飞凌起诉英诺赛科专利侵权

3 月 14 日，英飞凌发布公告称，其通过子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司（Infineon Technologies Austria AG）对英诺赛科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英诺赛科美国公司（Innoscience America, Inc）及其附属公司（以下简称：英诺赛科）提起诉讼。

英飞凌正在寻求永久禁令，以防止侵犯英飞凌拥有的与氮化镓(GaN) 技术相关的美国专利。该专利权利要求涵盖了GaN功率半导体的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有 GaN 器件可靠性和性能的创新。该诉讼已向加利福尼亚州北区地方法院提起。

“氮化镓功率晶体管的生产需要全新的半导体设计和工艺”，英飞凌功率与传感器系统部总裁 Adam White 说道。“凭借近二十年的 GaN 经验，英飞凌可以保证相应终端产品实现最高性能所需的卓越品质。我们大力保护我们的知识产权，从而为所有客户和最终用户的利益行事。” 数十年来，英飞凌一直投资于与 GaN 技术相关的研发、产品开发和制造专业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。”

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。

2023年5月，美国宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corp）向加州中区联邦地区法院和美国国际贸易委员会（ITC）提起诉讼，指控英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下简称“英诺赛科”）侵犯了宜普专利组合中的四项专利。

四项专利涉及宜普独家的增强型氮化镓功率半导体器件的设计和制造工艺的核心环节。宜普要求获得损害赔偿并对英诺赛科下达禁令。

据悉，英诺赛科成立于2015年12月，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-700V）的氮化镓功率器件。