北京
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金融界5月8日消息，东微半导披露投资者关系活动记录表显示，2023年，SiC产品一直是公司重点布局的领域，公司与国内多家一线SiC晶圆代工厂进行合作，在SiC二极管、SiC MOSFET及Si2C MOSFET器件上取得较大的研发进展。其中，Si2C MOSFET持续出货，进入批量交付阶段。目标是全系列产品追平海外巨头厂商产品性能，同时利用产业基金平台实现SiC衬底、外延、模块封装等全产业链条协同，进一步实现国产化替代，培育国内SiC MOSFET产品国际先进的核心竞争力。此外，IGBT业务方面主要转换了IGBT产品竞争策略，也就是自主知识产权的TGBT产品，加大TGBT大功率单管产品研发投入力度，拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景。
本文源自金融界AI电报
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