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金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“双端口存储器单元及其制造方法“，公开号CN202410178575.6，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，一种双端口存储器单元，包括第一、第二、第三和第四通过门晶体管，以及第一和第二字线。第一通过门晶体管包括在第一层级上的第一栅极。第二通过门晶体管包括在低于第一层级的第二层级上的第二栅极。第三通过门晶体管包括在第一层级上的第三栅极。第四通过门晶体管包括在第二层级上的第四栅极。第一字线在衬底前侧上方的第一金属层上，并且耦合到对应于双端口存储器单元的第一端口的第一和第三通过门晶体管。第二字线在衬底的背侧下方的第二金属层上，并且耦合到对应于双端口存储器单元的第二端口的第二和第四通过门晶体管。本申请的实施例还公开了一种一种制造双端口存储器单元的方法。
本文源自：金融界
作者：情报员
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