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三星、SK海力士和美光是全球领先的三大存储器制造商，近期在存储领域的竞争变得愈发激烈。除了数据中心GPU所使用的HBM产品，以及即将到来的新一代游戏显卡采用的GDDR7，现在竞争还延伸到未来的3D DRAM领域。
据Business Korea报道，SK海力士最近在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，发表了有关3D DRAM技术的最新研究论文。显示SK海力士正在加速3D DRAM的开发，并取得重大新突破，首次披露了3D DRAM开发的具体数量和特性。
SK海力士表示，目前5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%。这意味着单个测试晶圆上可以制造大约1000个3D DRAM单元，其中有561个器件是可用的。SK海力士还透露，实验性的3D DRAM具有与目前使用的2D DRAM相似的特性。不过SK海力士也指出，虽然3D DRAM有着巨大的潜力，但在实现商业化之前仍然需要做大量的开发工作。同时与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要达到32层至192层堆叠的存储单元才能广泛使用。
据了解，三星和美光也在推进3D DRAM的开发。三星已经成功地将3D DRAM堆叠至16层，并计划在2030年实现量产。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果技术能够取得突破，可以生产出比现有产品更好的DRAM，而且不需要使用EUV光刻设备。
现阶段DRAM市场仍然是高度集中，三星、SK海力士和美光等主要参与者共同占据了全球市场份额的96%以上。
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