说实话，用DUV光刻机，确实能制造5nm芯片，但我们不会这么干

有人认为，制造7nm芯片，必须用到EUV光刻机。

也有人认为，制造7nm的芯片，可以用DUV光刻机，毕竟积电当年曾经用浸润式光刻机，多重曝光后，生产过7nm芯片。

台积电第一代7nm就是DUV光刻机制造的，第二代才换成EUV，所以第二代7nm工艺，台积电还称之为7nm EUV。

为什么大家要讨论这个呢？原因在于我们目前买不到EUV光刻机，因为美国不准ASML卖给中国，而全球仅有ASML能制造EUV光刻机。

所以大家觉得没有EUV光刻机，我们的芯片工艺，可能会止步于7nm。

那么问题来了，既然用DUV光刻机，能制造7nm芯片，那能不能再进一步，制造5nm芯片？

事实上也能，比利时微电子研究中心（IMEC），在去年的的时候，就发布了浸润式光刻机借助八重曝光做5nm的技术方案。

那如何来制造，和利用DUV光刻机，制造7nm芯片一样，采用多重曝光技术即可。目前多重曝光技术，还有很多种，常见的有LELE、LFLE、SADP。

所谓多重曝光，简单的来讲，就是以有一次光刻机，就将电路图刻上去了。而多重曝光，则是采用多次光刻，将电路图分解，最后组合。

而多重曝光最重要的就是套刻精度（Overlay），它决定了芯片上下层的对准精度，进而决定了多重曝光的良率。

举个有一点类似例子，一个“正”字，一次光刻的时候，表示一次性将“正”写刻出来，但要将“正”刻到足够小，一次性不行，那就分成多次来刻，先横，再竖，再横……但这中间很重要的是，这么多次来刻的时候，组合后还是一个字，不能有偏移。

理论上来讲，只要套刻精度够，利用DUV光刻机，还能进一步的往5nm以下发展，3nm，2nm在理论上都是有可能的。

但是通过多次曝光后，芯片制造效率非常低，你想一想，原来一次就能光刻出来的芯片，要光刻多次了，速度不是慢了好几倍？成本不是就高了？

另外套刻精度是一件非常麻烦的事情，因为没有谁能保证误差等于0，而误差大会导致坏的晶圆非常多，于是良率会降低，据称台积电用DUV制造7nm芯片时，良率也只有80%，如果台积电用DUV制造5nm，估计良率不会高于50%……

所以，在有EUV光刻机的前提之下，没谁还用DUV来制造5nm芯片，那就傻子才干的事情。

就算是我们，没有EUV光刻机，估计也不会真的用DUV来制造5nm芯片，因为没有什么必要，成本高到无法商用，市场不会买单。

所以，大家就不要天天想着用用DUV光刻机，来制造5nm芯片了，就算制造的出来，也无法市场化，这是不现实的，还是想想另外的招吧，你觉得呢？