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金融界2024年7月2日消息，天眼查知识产权信息显示，浙江大华技术股份有限公司申请一项名为“一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板“，公开号CN202410713695.1，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请提出一种银纳米线触控电极单元及其制备方法、触控面板。所述制备方法包括：在聚二甲基硅氧烷表面制备疏水层，将所述疏水层进行刻蚀，得到刻蚀阵列；在所述疏水层表面制备亲水层；将所述聚二甲基硅氧烷安装到基板表面，以使所述亲水层与所述基板表面结合；剥离所述聚二甲基硅氧烷，在所述基板表面的疏水层加入银前驱体反应溶液，得到纳米银阵列；在所述纳米银阵列表面溅射巯基硅氧烷，得到纳米银触控电极。通过上述制备方法，亲疏水沟道的构建，制备得到无刻蚀触控阵列，减少了断差，同时疏水层作为保护层和介质层，整体提高银纳米线触控电极单元的隔水汽性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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