7月18日精选热点：这类存储芯片明年缺口20%，这些核心公司受益

1、存储芯片：明年供应缺口或超20%，产能排挤效应有望掀涨价潮

行业媒体报道，供应链透露，已接获三星通知，其高频宽存储器（HBM）产品HBM3e通过英伟达（NVIDIA）认证，预计本季开始供货，并将提拨高达三成既有DRAM产能生产HBM3e，造成庞大的产能排挤效应，“要赶紧备货（DRAM）”，料将引爆DRAM涨价潮重头戏，南亚科、威刚、十铨等台厂坐享涨价利益。业界分析，三星是全球存储器龙头，DRAM市占高达45%以上，以三星拟提拨三成产能生产HBM3e换算，全球现有超过13%的DRAM产能不再投入DDR4或DDR5等DRAM，导致DRAM市场供给更紧俏。

根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于通用型服务器(generalserver)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。

摩根士丹利指出，由于近年来DRAM厂新增产能有限，叠加HBM消耗大量产能，DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”，明年标准型DRAM供应缺口高达23%，将比HBM更缺，为近年罕见，价格将一路上涨。此外，大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估，由原预期8%和10%，上调至13%和20%，调升幅度高达六成以上。

A股上市公司中

聚辰股份：公司是业内少数拥有完整SPD产品组合和技术储备的企业，拥有存储类芯片、音圈马达驱动芯片和智能卡芯片三条主要产品线。参股公司武汉喻芯专注于NAND及DRAM存储器研发。中银国际公司研报指出，AI浪潮下公司积极布局DDR5内存模组配套SPD、汽车电子等高附加值应用领域，紧密研发NORFlash、闭环和OIS音圈马达驱动芯片等新品。

精测电子：公司在半导体光学、半导体电子光学及泛半导体领域积极进行项目研发，在DRAMRDBI测试设备、CP/FTATE设备等方面积累了大量经验，形成了较好技术沉淀。

2、储能：5月该产品出口量同比大增超650%，行业内多家公司签下海外大单

记者采访了解到，随着光伏、风电、电动汽车等产品大量出口海外，急需先进储能设备为电网稳定运行保驾护航，储能企业向海外市场输出产品及服务的速度正大大提升。当前，国内储能企业正处在有效利用先进产能，抢占海外市场的关键时期。除了阳光电源近日签约全球最大储能项目之外，据不完全统计，今年以来，已有亿纬锂能、宁德时代、瑞浦兰钧、国轩高科、鹏辉能源、海辰储能、远东电池等多家企业与海外客户签署了储能系统订单，预计订货量超过32GWh。

2024年1-5月，中国储能电池累计出口量为8.4GWh，同比增长50.1%，这一增速远高于同期动力电池2.9%的增速。尤其是5月，储能电池出口量达到4GWh，同比增长高达664%，中国储能电池出海明显迎来了一个高峰期。业内人士表示，随着电芯供给释放、储能市场价格战加剧，各企业收入增速及盈利能力明显出现分化，海外订单获取能力强的公司量、利增长显著，未来具有全球业务布局、垂直一体化产业链及良好融资能力的企业，将在市场份额和盈利能力上更具竞争优势。富船私募投资首席执行官黄亚进一步分析指出，当前，国内储能市场价格竞争激烈，储能系统价格持续回落，已接近部分企业的成本线。对于储能企业而言，当下正是“要么出海，要么出局”的关键选择期。

A股上市公司中

锦浪科技：公司主要产品为并网组串式逆变器和储能组串式逆变器。公司光伏和储能逆变器的接单量持续向好，海外出货占比提升。

德业股份：公司在亚非拉等新兴市场具有领先优势，出货势头强劲；公司在2024年SNEC展上发布多款产品。公司近日发布2024年半年度业绩预告，2024H1实现归母净利润11.8~12.8亿元，同比-6.4%~+1.5%；其中，2024Q2实现归母净利润7.5~8.5亿元，同比+11.1%~25.9%，环比+73.2%~96.3%。