上海
近日，全球第二大内存芯片制造商SK海力士表示，已决定投资约9.4万亿韩元(约合493.4亿人民币)在韩国龙仁市建设当地第一家芯片工厂。按照计划，SK海力士将于明年3月开工建设龙仁集群的首座厂房，并于2027年5月竣工。
华鑫证券毛正分析指出，随着人工智能的兴起，对高算力和带宽的需求推动了存储的发展。相较于传统的DRAM，HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，适应AI时代的新需求。目前全球市场由海力士、三星和美光主导，中国厂商也在积极推进HBM国产化，市场供需缺口仍持续扩大，DRAM涨价周期叠加AI驱动下，HBM价格预计继续上涨，市场规模预计在2024年达到约70亿美金。值得一提的是，今年5月，SK海力士社长KwakNoh-Jung透露，今年SK海力士的HBM芯片已经售罄，同时，2025年的HBM芯片也几乎已经全部预定。
据财联社主题库显示，相关上市公司中：
通富微电是国际领先封测龙头，在全球拥有七大生产基地。公司表示，将保持对HBM技术的持续关注，并积极开展相关的研发布局等前期工作。
长电科技推出的XDFOI高性能封装技术平台可以支持HBM的封装要求。
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