什么是铁电？一起来认识铁电存储器的结构、优势特点、应用市场

铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。铁电存储器FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

铁电存储器FRAM四个重要特长

非易失性

1）电源关闭时存储的数据不会消失

2）下电时不需要备用电池来保留数据

快速写入速度

1）启用无需擦除操作即可覆盖数据

2）无需等待时间进行擦除/写入操作

高读/写耐久性

1）保证10万亿 (1013) 读/写周期

2）是EEPROM读写耐久性的1000万倍

低功耗

1）没有用于写操作的升压电路

2）比EEPROM减少92％的写入功耗

3）没有为保持数据而需要的数据保持电流

铁电存储器有哪些产品类型：

串行接口存储器的产品阵容有：

16Kbit至4Mbit的SPI接口产品

以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品

使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至4Mbit的并行存储器

嵌入铁电RFAM的RFID芯片

MB97R8120、MB97R8050、MB89R118C、MB89R119B、MB89R112

验证用LSI：MB94R330

并行接口铁电存储器

MB85R8M1TAFN-G-JAE2，MB85R8M1TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TAFN-G-JAE2，MB85R8M2TABGL-G-JAE1

MB85R8M2TPBS-M-JAE1

MB85R4M2TFN-G-JAE2

MB85R4001ANC-GE1

MB85R4002ANC-GE1

MB85R1001ANC-GE1

MB85R1002ANC-GE1

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

I2C接口 (一般用途)铁电存储器

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

MB85RC256VPNF-G-JNERE1,MB85RC256VPF-G-BCERE1

MB85RC128APNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPNF-G-AWE2,MB85RC64TAPNF-G-AWERE2,MB85RC64TAPNF-G-JNE2,MB85RC64TAPNF-G-JNERE2,MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

MB85RC64APNF-G-JNERE1

MB85RC64VPNF-G-JNERE1

MB85RC16PNF-G-JNE1,MB85RC16PNF-G-JNERE1

MB85RC16VPNF-G-JNN1E1，MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1，MB85RC16VPNF-G-AWE2，MB85RC16VPNF-G-AWERE2

MB85RC04PNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1

用于高可靠性应用,符合AEC-Q100可靠性实验标准的汽车级I2C接口铁电存储器

MB85RC512TY(AEC-Q100)

MB85RC512LY(AEC-Q100)

MB85RC256TY(AEC-Q100)

MB85RC256LY(AEC-Q100)

汽车级SPI接口铁电存储器

MB85RS4MTY(AEC-Q100)

MB85RS4MLY(AEC-Q100)

MB85RS2MTY(AEC-Q100)

MB85RS2MLY(AEC-Q100)

MB85RS512TY(AEC-Q100)

MB85RS512LY(AEC-Q100)

MB85RS256TYA(AEC-Q100)

MB85RS256TY(AEC-Q100)

MB85RS256LYA(AEC-Q100)

MB85RS128TY(AEC-Q100)

MB85RS64VY(AEC-Q100)

SPI接口 (一般用途)

1) 快速读取模式时，可实现最大40MHz操作。

2) 有二进制计数器功能

3) 双SPI模式时，可实现最大7.5MHz操作。

MB85RQ8MX

MB85RQ8MLX

MB85RS4MTY

MB85RS4MLY

MB85RS4MT

MB85RQ4ML

MB85RS2MTY

MB85RS2MLY

MB85RS2MTA

MB85RS1MT

MB85RS1MT(1.7V)

MB85RS512T

MB85RS256TY

MB85RS256B

MB85RS128TY

MB85RS128B

MB85RS64VY

MB85RS64TU

MB85RS64T

MB85RS64T(1.7V)

MB85RS64V

MB85RS64

MB85RS16

MB85RS16N

MB85RDP16LX

FeRAM的结构

FeRAM中使用PZT (锆钛酸铅) 作为铁电材料。

锆 (Zr) 或钛 (Ti) 正离子在晶格中占据两个稳定位置，并且可以通过施加外部电场在两个位置之间移动。由于两个稳定位置都偏离电荷中心，因此在铁电材料中会出现两个相反方向的极化，图中向上或向下。即使去除了电场，也可以存储向上或向下极化，如果施加相反的电场，则可以在彼此之间切换。

铁电膜的上下设置有电极，构成电容器，标示出电极电压及极化量时，能够实现磁滞 (过程) ，从而能够记忆“1”或者“0”。铁电存储器就是利用了这种非易失性。

FRAM铁电存储器应用市场

物联网(Lot)、汽车、工业 (用于设施)、工业 (用于基础设施)、智能电表、医疗类、物联网