广东
SK海力士宣布，已成功开发出全球首款采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb DDR5 DRAM，向世界展现了10nm出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士将在年内完成1cnm DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，继续引领半导体存储器市场的发展。
SK海力士是在基于目前最高性能的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺扩展平台上，以最高效的方法开发出1cnm工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内最高性能DRAM转移到新工艺。在这个过程中，SK海力士运用了新材料，并针对EUV适用工艺进行了优化，以确保成本竞争力。与此同时，SK海力士在1cnm工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1β (b) nm工艺相比，生产率提高了30%以上。
这次1cnm DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，运行速率为8Gbps，与前一代相比速度提高了11%，另外能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，SK海力士称改用1cnm DDR5 DRAM后，可以为数据中心节省30%以上的电费。
SK海力士表示，新的1cnm工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，计划应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。
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