北京
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中国电子材料行业协会今日官微消息，在西部科学城，总投资约300亿元的三安意法半导体项目进入收尾阶段，其中，8英寸SiC衬底厂预计本月投产，比原计划提前2个月。据了解，三安意法半导体项目包含建设一座8英寸SiC晶圆厂和配套的一座8英寸SiC衬底厂，预计总投资约300亿元人民币，将整合8英寸车规级SiC衬底、外延、芯片的研发与制造。
本文源自：金融界AI电报
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