北京
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金融界 2024 年 10 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 118782630 A，申请日期为 2023 年 4 月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，通过电介质层可以有效发挥第一 P 型掺杂区和 N 型漂移区形成的超结结构的电荷耦合作用，使半导体器件具备耐压功能。可以看出，本申请提供的半导体器件不易被击穿，可靠性高。半导体器件可以包括衬底、N 型漂移区、第一 P 型掺杂区和电介质层。衬底和 N 型漂移区可以沿第一方向层叠设置。第一 P 型掺杂区可以位于 N 型漂移区内部，第一 P 型掺杂区可以设有第一沟槽，电介质层可以位于第一沟槽内部。
本文源自：金融界
作者：情报员
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