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金融界 2024 年 10 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“发光二极管外延片及其制备方法、LED”的专利，公开号 CN 118763160 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂 GaN 层、N 型 GaN 层、多量子阱层、电子阻挡层、复合 P 型 GaN 层、P 型接触层；所述复合 P 型 GaN 层包括依次沉积在所述电子阻挡层上的 AlxInyGa1‑x‑yN 层、AlnIn1‑nN 层、Mg 掺杂 InmGa1‑mN 层、GaN 层；其 中，x/y＝n/1‑n，且所述 AlxInyGa1‑x‑yN 层的 Ga 组分逐渐下降。本发明提供的发光二极管外延片能够提高活化 Mg 浓度，减少发光二极管漏电，提高发光二极管表面平整度，提高发光二极管的出光效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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