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金融界2024年10月23日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“单晶硅拉晶方法、单晶炉及晶棒”的专利，公开号CN 118792732 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种单晶硅拉晶方法、单晶炉及晶棒。单晶硅拉晶方法包括等径操作，等径操作包括第一阶等径和多阶等径，第一阶等径的顺序在多阶等径之前；在第一阶等径之后，按照多阶等径的先后顺序，由先到后逐阶下调从第一氩气进气口进入单晶炉内的第一氩气流量；以及打开第二氩气进气口并逐阶上调从多个第二氩气进气口进入单晶炉内的第二氩气流量。本申请实施例通过下调第一氩气进气口进入的氩气量，并配合上调从第二氩气进气口进入的氩气量，可以使得单晶炉的靠近内侧壁的位置具有较高含量的氩气以促使靠近单晶炉内侧壁的SiO被氩气带走排出单晶炉外，从而降低单晶炉内的SiO含量，降低晶棒的尾部氧含量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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