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金融界2024年10月25日消息，国家知识产权局信息显示，上海深至信息科技有限公司申请一项名为“一种忆阻器及其制备方法和在超声波成像中的应用”的专利，公开号 CN 118804673 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种忆阻器及其制备方法和在超声波成像中的应用，忆阻器包括：底电极、顶电极和忆阻层，忆阻层位于底电极和顶电极之间；其中，忆阻层包括钛酸锶和二硫化钼。有益效果：本发明提供的忆阻器为“底电极/忆阻层/顶电极”三层结构，其中，忆阻层采用钛酸锶和二硫化钼的混合材料，能够解决现有技术中忆阻器在应用于超声波成像时存在的稳定性、一致性和兼容性问题，从而提高超声波成像的速度和质量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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