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此前AMD官方已确认，Ryzen 7 9800X3D即将到来。这是AMD在Zen 5架构上加入3D垂直缓存（3D V-Cache）技术的新一代高端游戏处理器，拥有8核心16线程，L3缓存从普通型号的32MB增至96MB，TDP提升到120W，步进为C0，基础频率和加速频率分别为4.7GHz和5.2GHz。
近日有网友透露，AMD的宣传材料里反复出现“X3D Reimagined”字样，似乎重新设计了CCD与3D V-Cache芯片的堆叠方式，这大概也是为什么AMD将Ryzen 7 9800X3D采用的3D垂直缓存技术称为了“第二代3D V-Cache技术”的原因之一。
之前的X3D产品里，AMD运用了基于台积电的SoIC技术，将两个芯片被铣成一个完美的平面，底层CCX与顶层L3缓存之间是一个完美的对齐，TSV通道可以在没有任何类型的粘合材料的情况下进行匹配。为了实现这个操作，AMD将CCD翻转（由面向顶部改为面向底部），然后削去了顶部95%的硅，再将3D垂直缓存芯片安装在上面，最终在L3级别上实现了共享环形总线设计，使得整个L3缓存可用于每个内核。
到了Ryzen 7 9800X3D，AMD反转了原来的操作，现在变成了CCD在顶部，3D垂直缓存芯片在下面，为每个CCD带来额外的64MB 7nm SRAM缓存。这么做可以让计算模块的热量可以直接散发到IHS上，一定程度上也解决了过往X3D产品所遇到的散热影响频率提升的问题，从而让超频也成为了可能。由于基于Zen 5的CCD里，L3缓存的面积小于Zen 4的CCD，不少人好奇AMD具体是如何去做的。
Ryzen 7 9800X3D计划在11月7日正式上市，预计会成为市场上游戏性能最强的台式机处理器。
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