北京
金融界 2024 年 10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，北京中电华大电子设计有限责任公司申请一项名为“种支持 FLASH 页替换及坏页测试的仿真器”的专利，公开号 CN 118824344 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种支持 FLASH 页替换及坏页测试的仿真器，仿真器包括坏页信息 BAK 区、FLASH 接口处理模块、坏页信息随机产生模块、擦写读控制模块、坏页信息区、RDN 数据区和 MAIN 数据区。仿真器在上电过程中随机产生坏页信息区数据同时把坏页信息区数据读到坏页信息 BAK 区，FLASH 控制器在擦写读操作时依据坏页信息 BAK 区内容控制对 RDN 数据区或 MAIN 数据区擦写读操作。通过仿真器软件修改坏页信息 BAK 区内容，实现 RDN 页与 MAIN 坏页轮换遍历，完成 FLASH 控制器坏页替换机制的功能测试。本发明仿真器满足正常情况下的 FLASH 擦写读功能，同时支持 MAIN 区最多 4 个坏页的 FLASH 功能仿真。本发明便于软件程序调试和坏页替换功能测试，提高了 FLASH 产品的开发和测试效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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