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金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及制备方法”的专利，公开号 CN 118824939 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，公开一种半导体结构及制备方法，制备方法包括：提供基底，基底包括阵列区和外围区，阵列区的表面具有第一导电结构，外围区的表面具有第二导电结构，第一导电结构顶面高于第二导电结构顶面；形成导电柱，导电柱位于第二导电结构的顶面且与第二导电结构电连接；形成隔离结构，隔离结构覆盖基底以及导电柱的表面；图形化隔离结构形成第一凹槽以及第二凹槽，第一凹槽的底部暴露出第一导电结构的顶面，第二凹槽的底部暴露出导电柱部分顶面；沿第二凹槽，刻蚀部分厚度的导电柱形成第三凹槽，第三凹槽的侧壁保留部分宽度的导电柱；形成填充满第一凹槽的第一连接柱以及填充满第二凹槽和第三凹槽的第二连接柱。
本文源自：金融界
作者：情报员
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