GE VMIPCI-5565-110000 反射式存储器
概述
VME-5565 Reflective Memory 节点卡提供了一个高速、低延迟、确定性接口,允许多达 256 个独立系统(节点)以每秒 170 Mbyte 的速率共享数据。每块 Reflective Memory 板卡可配置 64 Mbyte 或 128 Mbyte 的板载 SDRAM。本地 SDRAM 可以快速读取存储数据。写入数据存储在本地 SDRAM 中,并通过高速光纤数据路径广播到其他 Reflective Memory 节点。发送和接收 FIFO 在峰值数据速率期间缓冲数据,以优化处理器和总线性能,保持高数据吞吐量。
参数
网络传输速率为 43 Mbyte/s(4 字节数据包)至 170 Mbyte/s(64 字节数据包)
动态数据包大小,4 至 64 字节数据
最多 256 个节点
与多模光纤的连接最长可达 300 米,与单模光纤的连接最长可达 10 千米
写入一个节点内存的数据也会写入网络上所有节点的内存中
高速、易用的光纤网络(2.12 Gbaud 串行速率)
VME 传输速率 40 Mbytes
64 Mbyte 或 128 Mbyte SDRAM 反射内存
技术特点
高速数据传输:
串行连接速度高达 2.12 Gbaud。
传输速率因数据包大小而异,4 字节数据包最高可达 47.1 MB/秒,64 字节数据包最高可达 174 MB/秒。
大容量内存:
板载 SRAM 容量可选 128MB 或 256MB,提供充足的存储空间。
动态数据包大小:
支持 4 至 64 字节的动态数据包大小,以满足不同应用场景的需求。
中断传输:
支持任何节点生成中断,可用于同步系统进程或跟踪数据。
无处理器开销:
处理器不参与网络运行,减少了系统负载。
易于集成和使用:
符合 PCI 修订版 2.2 标准,易于与各种计算机系统集成。
提供丰富的硬件接口和驱动程序,简化开发和部署过程。
应用场景
VMIPCI-5565-110000 反射式存储器广泛应用于需要高速、实时数据共享的场合,如
工业过程控制:
在工业自动化系统中,实时共享传感器数据和控制指令,以提高生产率。
模拟和培训:
在仿真系统中,实时共享模拟数据和状态信息,用于培训和测试。
数据流与采集:
在数据采集系统中,实时共享收集到的数据,用于分析和处理。
商业、电信和军事应用:
在这些需要以确定性高速传输和共享数据的领域,反射式内存可提供高性能解决方案。
优势
高性能:
高速数据传输和低延迟特性使反射式内存成为高要求应用的理想解决方案。
高可靠性:
冗余传输模式和错误检测功能提高了系统的可靠性和稳定性。\
易于维护:
没有软件管理开销和操作系统依赖性,降低了维护成本。
可扩展性:
支持多达 256 个节点,并可根据需求进行扩展。
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