北京
分享至
金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，苏州英嘉通半导体有限公司取得一项名为“倾斜场板的制造方法、HEMT器件及其制造方法”的专利，授权公告号 CN 113659001 B ，申请日期为 2021 年 9 月 。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
