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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号 CN 118841437 A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；沟槽隔离结构，设置在衬底中，与至少一个有源区相邻设置；栅极堆叠结构，设置于衬底上并与沟槽隔离结构接触，栅极堆叠结构中的第一部分位于沟槽隔离结构上，栅极堆叠结构中的第二部分位于有源区上；第一栅极侧墙，设置在沟槽隔离结构上，且与栅极堆叠结构直接接触；其中，第一栅极侧墙的最低点高于第一部分的最低点。上述半导体器件可以有效地避免漏电流的产生，进而可以改善半导体器件的电性能，同时利用上述沟槽隔离结构和栅极堆叠结构，还可以提高半导体器件的结构稳定性，进而可以器件良率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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