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金融界 2024 年 10 月 31 日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及电子设备”的专利，公开号 CN 118841433 A，申请日期为 2023 年 4 月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决现有晶体管的 SS 过高的技术问题。半导体器件包括衬底、栅极、有源层和第一肖特基接触电极，栅极、有源层和第一肖特基接触电极均设置于衬底上。有源层包括沟道部，栅极在衬底上的垂直投影，与沟道部在衬底上的垂直投影重叠。第一肖特基接触电极与有源层相接触，且与有源层之间形成第一肖特基结。其中，有源层中与第一肖特基接触电极接触的部分，与沟道部的掺杂类型相同。该半导体器件具有更低的 SS，仅需在栅极施加很小的电压，即可使器件开启。
本文源自：金融界
作者：情报员
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