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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法”的专利，公开号CN 118841316 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法，所述沟槽型栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有栅极沟槽；形成第一介质层覆盖衬底的表面及栅极沟槽的内壁，且第一介质层在栅极沟槽底部的最小厚度大于或等于预设厚度；形成第二介质层覆盖衬底表面及栅极结构内的第一介质层的表面，第二介质层包括掺杂的第一介质层，并执行高温回流工艺，使第二介质层填充栅极沟槽；执行干法刻蚀工艺，去除第二介质层及部分厚度的第一介质层暴露栅极沟槽的侧壁，并在栅极沟槽底部保留预设厚度的第一介质层；在栅极沟槽内的第一介质层上形成栅极结构。本发明用于高效且简便地提升沟槽型栅极结构的开关性能及可靠性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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