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金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞半导体技术有限公司申请一项名为“一种MOS晶体管及其制备方法”的专利，公开号CN 118888597 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种MOS晶体管及其制备方法，通过当MOS晶体管为Trench NMOS晶体管时，设置两个开关，第一开关由第一多晶硅、两个第一N型掺杂区和P型阱区构成，第一多晶硅沉积于第一氧化层上，第二开关由外延层中开设的沟槽内的第二多晶硅形成的栅极构成，第二多晶硅沉积于第二氧化层上，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度，当MOS晶体管为Trench PMOS晶体管时，所有掺杂类型与Trench NMOS晶体管相反，具体的，由于拥有两个开关，使得MOS晶体管在栅压波动时电阻稳定，又能满足MOS晶体管具有较大的开启电压。
本文源自：金融界
作者：情报员
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