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金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118888596 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，从下到上依次设置有Fe掺杂半绝缘衬底、非故意掺杂UID层以及Si掺杂轨道层；所述Si掺杂轨道层的两侧均设置有n+源区，n+源区的上方设置有源极金属和漏极金属；所述Si掺杂轨道层的底部设置有p型沟道控制区，所述p型沟道控制区的正上方设置有位于Si掺杂轨道层表面的栅极介质槽、绝缘介质以及栅极金属。通过采用横向沟槽栅结构，显著改善了栅极的控制能力，降低了器件的衬底漏电，提高了器件的电气稳定性和能效，在Si掺杂轨道层下方构建p型沟道控制区，进一步降低了由沟槽栅结构引起的导通电阻，增加了开态电流。
本文源自：金融界
作者：情报员
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