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金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，晶澳（扬州）太阳能科技有限公司申请一项名为“一种背接触太阳能电池的制备方法和背接触太阳能电池”的专利，公开号CN 118888634 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种背接触太阳能电池的制备方法和背接触太阳能电池，该制备方法包括：在硅基体一侧由内至外依次形成第一隧穿氧化层、P型掺杂层及第一硅玻璃层；P型掺杂层包括设置在内层的P型掺杂多晶硅层以及外层的P型掺杂非晶硅层；利用激光工艺去除硅基体第一区域上的第一隧穿氧化层、P型掺杂层及第一硅玻璃层；在硅基体厚度方向一侧由内至外依次制备第二隧穿氧化层、N型掺杂层以及第二硅玻璃层；利用激光工艺去除第二区域的第二隧穿氧化层、N型掺杂层及第二硅玻璃层。该实施方式使第一硅玻璃层更易被去除干净，有效地提升制备的太阳能电池的性能。
本文源自：金融界
作者：情报员
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