金融界2024年11月5日消息,国家知识产权局信息显示,甬矽半导体(宁波)有限公司取得一项名为“镭射印字路径规划方法和镭射装置”的专利,授权公告号CN 114434012 B,申请日期为2022年1月。
本文源自:金融界
作者:情报员
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.