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金融界2024年11月5日消息，国家知识产权局信息显示，芜湖映日科技股份有限公司申请一项名为“种高电子迁移率IGTO掺杂靶材的制备方法”的专利，公开号CN 118894720 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种高电子迁移率IGTO掺杂靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：先将氧化物粉末球磨得到混合浆料，再将混合浆料造粒得到，最后通过成型和烧结得到高电子迁移率IGTO掺杂靶材；所述氧化物粉末按重量百分比包括：氧化镓粉末1.5%‑3%、氧化锡粉末0.7%‑1.2%、硅掺杂氧化铁粉末0.4%‑0.6%和氧化铟粉末余量。本发明制备的IGTO掺杂靶材具有高的相对密度和低的电阻率，采用其制备的薄膜晶体管具有高迁移率和稳定性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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