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金融界2024年11月5日消息，国家知识产权局信息显示，三一硅能（株洲）有限公司申请一项名为“板式CVD真空镀膜设备”的专利，公开号CN 118895494 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及真空镀膜技术领域，提供一种板式CVD真空镀膜设备，包括壳体组件、两组盖体组件和送料组件。两组盖体组件分别设于壳体组件相对的两侧，并与壳体组件围设形成镀膜腔；盖体组件包括盖本体以及设于盖本体的电极组件和供气组件。送料组件包括传输组件和设为镂空结构的承载件，传输组件设于壳体组件相对的两侧，承载件搭载于传输组件，适于在传输组件的驱动下，在进料口和出料口之间进行传输，承载件将镀膜腔分隔为两个镀膜分腔，设于相应的盖本体上的电极组件和供气组件适于对承载件上的基底进行单面镀膜或双面镀膜。本发明，结构设计新颖，适应性较强，可以有效避免基底镀膜过程中进行翻片处理，提高生产节拍，提升生产效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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