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金融界2024年11月5日消息，国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种低电阻复合衬底结构及制备方法”的专利，公开号 CN 118895564 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体材料制备技术领域，尤其涉及一种低电阻复合衬底结构及制备方法。一种低电阻复合衬底结构，包括支撑层及形成于所述支撑层上的膜层；所述膜层为单晶碳化硅，晶型为4H型；所述支撑层为单晶碳化硅，晶型为3C型；所述支撑层电阻率小于1mΩ·cm。采用本发明的复合衬底，因为支撑衬底的电阻率非常低，背面减薄量大大减少，甚至可以不需要背面减薄步骤，大大降低了功率器件的制造周期和成本，提升器件良品率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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