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金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器”的专利，公开号CN 118900563 A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器，其中，反熔丝单元包括：基底；基底包括有源区、以及位于有源区中的第一掺杂区；第一栅极结构和第二栅极结构，位于第一掺杂区沿第一方向两侧的有源区的表面；其中，有源区包括沿第三方向延伸的第一对相邻面，第一对相邻面之间构成第一夹角；第一夹角的顶点与有源区顶表面具有第一交点，第一交点位于第一栅极结构在有源区上的投影区域内；第一夹角小于180度；第一方向与第一掺杂区的延伸方向垂直，且位于基底所在的平面内；第三方向与基底所在的平面相交。
本文源自：金融界
作者：情报员
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