北京
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金融界2024年11月6日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 118900559 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤。在基板中形成隔离区及主动区。在主动区形成第一字元线沟槽。在第一字元线沟槽中及主动区和隔离区上沉积介电层。通过蚀刻介电层形成第二字元线沟槽，且第二字元线沟槽呈线性并延伸穿过基板的隔离区及主动区。另外，介电层的部分保留在第二字元线沟槽的底部。然后，在第二字元线沟槽中形成字元线结构。此外，本发明还提供一种半导体结构。如此一来，本发明实施例提供的半导体结构可以解决由于主动区和隔离区的字元线结构深度不同而导致的电损耗问题，且可以减少漏电的问题。
本文源自：金融界
作者：情报员
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