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金融界2024年11月9日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法”的专利，公开号CN 118910714 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请公开了一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法，属于碳化硅单晶液相生长技术领域。该坩埚包括：坩埚底和第一坩埚壁，坩埚底由石墨制成，第一坩埚壁由碳化硅多晶制成，第一坩埚壁为具有中心轴的圆柱形，且可拆卸连接在坩埚底的上部，第一坩埚壁包括位于中心轴的一侧的第一端面和位于中心轴的另一侧的第二端面；坩埚可在第一端面连接到坩埚底的第一状态与第二端面连接到坩埚底的第二状态之间切换。该坩埚可以通过改变第一坩埚壁的方向来实现对第一坩埚壁的自我修复，而不需要频繁更换第一坩埚壁，从而大大降低了液相法生长碳化硅单晶的生长成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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