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金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 118919563 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括源极、漏极、闸极、通道结构、支撑层以及闸极电介质层。漏极与源极在垂直方向上堆叠设置闸极设置在漏极与源极之间。通道结构部分设置在闸极内，并连接漏极与源极。支撑层设置在通道结构的侧壁上。闸极电介质层部分在水平方向上设置在通道结构与闸极之间，并部分设置在支撑层与闸极之间。如此，借助支撑层的设置，使得闸极电介质层可围绕着闸极设置，有效地改善半导体器件的操作表现。
本文源自：金融界
作者：情报员
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