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金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN 118919400 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆包括相对分布的正面和背面；于所述碳化硅晶圆的所述背面形成金属硅化物层，且所述碳化硅晶圆析出碳至所述金属硅化物层的表面；于沉积机台内通过刻蚀工艺去除所述金属硅化物层表面上的碳于所述沉积机台内形成覆盖所述金属硅化物层的表面的背面金属层。本发明简化了半导体结构的形成工艺，提高了半导体结构的制造效率，并降低了半导体结构的制造成本。
本文源自：金融界
作者：情报员
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